2018年北京高三化学一轮复习--有机综合推断题突破策略（专题训练）
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2018年北京 高三化学一轮复习 有机综合推断题突破策略（专题训练）
1．高聚物H可用于光刻工艺中，作抗腐蚀涂层。下列是高聚物H的一种合成路线：
已知：①RCHO＋R1CH2COOH――→催化剂，350 ℃ ＋H2O；
②由B生成C的反应属于加聚反应；
③D属于高分子化合物。
请回答下列问题：
(1)X生成Y的条件是________。E的分子式为____________________________________。
(2)芳香烃I与A的实验式相同，经测定I的核磁共振氢谱有5组峰且峰面积之比为1∶1∶2∶2∶2，则I的结构简式为____________________________________________。
推测I可能发生的反应类型是________(写出1种即可)。
(3)由E生成F的化学方程式为__________________________________________________
________________________________________________________________________。
(4)D和G反应生成H的化学方程式为_____________________________________________
________________________________________________________________________。
(5)G的同分异构体中，与G具有相同官能团的芳香族化合物还有________种(不考虑立体异构)。
(6)参照上述合成路线，以对二甲苯和乙酸为原料(无机试剂任选)，设计制备 的合成路线。
答案 (1)光照 C7H8O
(2) 加成反应(或氧化反应、加聚反应、取代反应中的任意1种)
(3) ――→Cu△ ＋2H2O
(4) ????一定条件
(5)4
(6) ――→Cl2光照 ――→O2/Cu△ ―――――――→CH3COOH催化剂，350 ℃
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