第一单元《金属键 金属晶体》专题训练（共32题）（有解析）
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- 资料类型：一课一练
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第一单元《金属键 金属晶体》专题训练
1．下列说法正确的是
A．任何晶体中，若含有阳离子也一定含有阴离子
B．金属镁的熔点、硬度高于铝
C．在铜的晶胞结构中，每个晶胞中平均有4个铜原子，铜原子的配位数为6
D．金属具有良好的导电性，是因为在金属晶体中共享了金属原子的价电子，形成了“电子气”，在外电场的作用下自由电子定向移动便形成了电流，所以金属易导电。
【答案】D
【解析】
试题解析：例如金属晶体中只有阳离子，没有阴离子，故A错误；铝离子半径小于镁离子半径，所以铝的熔点、硬度大于镁的，故B错误；铜晶体是面心立方堆积，采用沿X、Y、Z三轴切割的方法知，每个平面上铜原子的配位数是4，三个面共有4×3=12个铜原子，所以每个铜原子的配位数是12，故C错误；金属内部有自由电子，当有外加电压时电子定向移动，故D正。
考点：晶体类型
2．下列有关晶体的说法中一定正确的是
①原子晶体中只存在非极性共价键
②稀有气体形成的晶体属于原子晶体
③干冰晶体升华时，分子内共价键会发生断裂
④金属元素和非金属元素形成的化合物一定是离子化合物
⑤分子晶体的堆积均为分子密堆积
⑥离子晶体和金属晶体中均存在阳离子，但金属晶体中却不存在离子键
⑦金属晶体和离子晶体都能导电
⑧依据构成粒子的堆积方式可将晶体分为金属晶体、离子晶体、分子晶体、原子晶体
A．①③⑦ B．只有⑥ C．②④⑤⑦ D．⑤⑥⑧
【答案】B
【解析】
试题解析：①原子晶体是原子之间通过共价键形成的晶体，同种元素原子之间形成非极性键，不同原子之间形成极性键，如二氧化硅是原子晶体，晶体中Si-O键是极性键，故错误；②稀有气体是单原子分子，分子之间通过分子间作用力形成分子晶体，故错误；③干冰晶体属于分子晶体，分子之间通过分子间作用力形成晶体，升华时分子间距增大，属于物理变化，破坏分子间作用力，没有破坏化学键，故错误；④金属元素和非金属元素形成的化合物可能是共价化合物，如氯化铝，故错误；⑤分子晶体的堆积不一定是分子密堆积，如冰晶体中存在氢键，不是分子密堆积，故错误；⑥离子晶体由阴、阳离子通过离子键形成，金属晶体是金属离子与自由电子通过金属键形成，不存在离子键，故正确；⑦金属晶体中由自由电子，可以导电，离子晶体中阴、阳离子不能自由移动不能导电，熔融的离子晶体可以导电，故错误；⑧依据构成微粒与微粒间的作用可将晶体分为金属晶体、离子晶体、分子晶体、原子晶体，故错误．故选B．
考点：四种晶体类型与结构、性质
3．下面的排序不正确的是
A．熔点由低到高：CH4＜SiH4＜GeH4＜SnH4
B．熔点由高到低：Rb＞K＞Na
C．硬度由大到小：金刚石＞碳化硅＞晶体硅
D．晶格能由大到小：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI
【答案】B
【解析】
试题分析：A、碳族元素的氢化物都是分子晶体，熔点随相对分子质量的增大而升高，正确；B、碱金属是金属晶体，随核电荷数的增大，熔点逐渐降低，错误；C、金刚石、硅、碳化硅都是原子晶体，硬度的大小与共价键的强弱有关，原子半径小，共价键越强，所以半径由小到大：金刚石＞碳化硅＞晶体硅，则硬度由大到小：金刚石＞碳化硅＞晶体硅，正确；D、离子晶体中的晶格能与离子半径、离子的电荷数有关，离子半径越小、所带电荷越多，离子键越强，晶格能越大，卤化钠的阳离子相同，阴离子的半径随F、Cl、Br、I逐渐增大，所以晶格能由大到小：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI，正确，答案选B。
考点：考查物质的熔点、硬度、晶格能的比较
4．有四种不同堆积方式的金属晶体的晶胞如图所示，有关说法正确的是
A．①为简单立方堆积②为六方最密堆积③为体心立方堆积④为面心立方最密堆积
B．每个晶胞含有的原子数分别为：①1个，②2个，③2个，④4个
C．晶胞中原子的配位数分别为：①6， ②8 ，③8， ④12
D．空间利用率的大小关系为：① < ② < ③ < ④
【答案】B
【解析】
试题分析：A、②为体心立方堆积③为六方最密堆积，② 、③颠倒，错误；B、根据晶胞计算，每个晶胞含有的原子数分别为：①8×1/8=1个，②8×1/8+1=2个，③8×1/8+1=2个，④8×1/8+6×1/2=4个，正确；C、配位数是指- 上一篇资料:第二单元《元素性质的递变规律》填空题专题训练（共138题）（有解析）
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